Stehende Induktivität mit mittlerem Nenngleichstrom, Ferrit.• Toleranz: ±5 %• Q min.: 70 bei f(Q) 0,252 MHz• SRF min.: 1,4 MHz• DCR max.: 3,0 Ohm• Rated DC I: 250 mA
• 16 GB (RAM-Module: 1 Stück) • DDR5-RAM 6800 MHz • CAS Latency (CL) 34 • Anschluss:288-pin, Spannung:1,4 Volt • Besonderheiten: AMD EXPO